Activité

	Acerde  est une entreprise spécialisée dans l'élaboration et la mise en forme de matériaux de hautes qualités chimique et cristallographique. Elle dispose de moyens technologiques permettant de réaliser des films minces et des massifs à partir de précurseurs gazeux, principalement des chlorures et fluorures. Les hautes températures atteintes dans les réacteurs  permettent de synthétiser des matériaux de haute densité, inaccessibles par frittage. Cette technique de dépôt appelée HTCVD (High Temperature Chemical Vapor Deposition) donne également accès à de nombreux matériaux necessitant de hautes de températures  de synthèse tels que les nitrures  et les carbures.             Réacteurs dédiés à la croissance de carbure de silicium, de nitrures de Bore et d'Aluminium. Réacteur dédié au dépôt  de films de tungstène et dérivés (carbures) Les fours/réacteurs sont conçus et réalisés par les ingénieurs et techniciens de la société, ce qui permet d'avoir une grande flexibilité des installations en fonction des études et produits à réaliser: 3 réacteurs sont actuellement en fonctionnement et ont été optimisés pour la synthèse des matériaux suivants: W, WC, SiC, AlN  et BN. Un nouveau réacteur,  en développement, sera exclusivement dédié  à la fabrication de substrats monocristallins de nitrure d'aluminium (AlN), nécessaires à la réalisation de diodes UV.        Acerde  propose d'élaborer par HTCVD de nombreux matériaux  (se référer au tableau ci-dessous) dont les propriétés sont reconnues en terme de bio-compatibilité, de résistance mécanique, d’inertie chimique et de conductivité thermique. En outre, les températures élevées offrent la possibilité d'élaborer des nouveaux composés, et par la maîtrise de la chimie et de la thermodynamique des précurseurs gazeux utilisés, les matériaux synthétisés sont de grande pureté et de haute qualité cristallographique. La technique HTCVD est particulièrement adaptée aux exigences suivantes:          Dépôt sur substrats 2D ou 3D Réalisation de pièces à géométries simples ou complexes Croissance de multicouches Contrôle de l’épaisseur du revêtement (de quelques µm au mm) Contôle de la taille et de l'orientation cristallographique des grains Haute pureté du matériau et dopage       (a)     (b) Exemples d'échantillons 2D et 3D réalisés par HTCVD: (a) substrat de diamètre 2'  (350µm d'épaisseur) et  (b) tube de 5mm*40mm (250µm d'épaisseur) réalisés en SiC polycristallin .     Acerde  offre également des prestations en  caractérisation et analyse multi-échelles (RX, MEB, TEM, AFM, EBSD, ...), et développe des solutions originales adaptées à vos besoins (réalisation de barrières de diffusion, traitements thermiques à hautes températures et cryogénique, dépôts multi-couches, ...)    (a)    (b) Images obtenues   par microscopie électronique à balayage d'un  dépôt SiC CVD multi couches (a) sur graphite et d'un substrat AlN polycristallin (b) réalisé par PVT.

  

Coatings	W	Re	Mo	Ir	Nb	Ta	WC W2C	Refractories alloys	Silicides (Mo, W)
Substrate
Graphite
Molybdenum
Tungsten
Nickel
Steel
Alumina
Monel
Rhenium
Tanlalum Niobium
Copper
Silicon
Titanium
Zirconium
UO2
Graphite fibers
Silica fibers
Nicalon fibers
Massive coatings

Coalings	SiC	Si3N4	B4C	BN	TiN	TiB2	W2B	Pyrolytic C PYC	TIC
Substrate
Graphite fibers
Nicalon fibers
Nextel fibers
SiIica fibers
Graphite
Tungsten
Nickel
Steel
Titanium
Massive coatings

L’ intégration d’un étudiant en thèse à l’INPG au laboratoire SIMaP à partir d’octobre 2006, va permettre de travailler de façon plus approfondie sur l’élaboration de l’AlN monocristallin de forte épaisseur par HTCVD.